蔡司場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡Sigma系列 擁有高品質(zhì)成像和先進(jìn)顯微分析功能的FE-SEM
蔡司場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡Sigma系列產(chǎn)品集場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)技術(shù)與良好的用戶體驗(yàn)于一體,助您輕松實(shí)現(xiàn)構(gòu)建成像和分析程序,同時(shí)提高工作效率。您可以將其用于新材料和顆粒的質(zhì)量監(jiān)測(cè),或研究生物和地質(zhì)樣本。Sigma可實(shí)現(xiàn)高分辨率成像,它采用低電壓,能在1 kV或更低電壓下實(shí)現(xiàn)更高的分辨率和對(duì)比度。它出色的EDS幾何學(xué)設(shè)計(jì)可執(zhí)行高級(jí)顯微分析,以兩倍的速度和更高的精度獲取分析數(shù)據(jù)。
使用Sigma系列,暢游高端納米分析世界。
Sigma 360是一款直觀的成像和分析FE-SEM,是分析測(cè)試平臺(tái)的理想之選。
Sigma 560采用先進(jìn)的EDS幾何學(xué)設(shè)計(jì),可提供高通量分析,實(shí)現(xiàn)自動(dòng)原位實(shí)驗(yàn)。
Sigma 360
分析測(cè)試平臺(tái)的理想之選,直觀的圖像采集
從設(shè)置到獲取基于人工智能的結(jié)果,均提供專業(yè)向?qū)В瑸槟q{護(hù)航,助您探索直觀成像工作流。
可在1 kV和更低電壓下分辨差異,實(shí)現(xiàn)更高的分辨率和對(duì)比度。
直觀的成像工作流程指導(dǎo)您
從設(shè)置到基于 AI 的結(jié)果即使您是新手,也能獲得專業(yè)的結(jié)果。易于使用、易于學(xué)習(xí)的工作流程讓您受益于快速成像并節(jié)省培訓(xùn)時(shí)間,讓您簡(jiǎn)化從導(dǎo)航到后處理的每個(gè)步驟。
ZEISS SmartSEM Touch 中的軟件自動(dòng)化讓您從導(dǎo)航、參數(shù)設(shè)置和圖像采集開始。
然后 ZEN core 發(fā)揮作用:它帶有特定于任務(wù)的工具包,最適合后處理。最推薦的是: AI Toolkit 可讓您根據(jù)機(jī)器學(xué)習(xí)分割圖像。將多模式實(shí)驗(yàn)與 Connect Toolkit 相結(jié)合;蛘呤褂貌牧蠎(yīng)用程序分析微觀結(jié)構(gòu)、晶粒尺寸或?qū)雍瘛?/p>
可在極端條件下執(zhí)行可變壓力成像,獲得出色的非導(dǎo)體成像結(jié)果。
對(duì)聚苯乙烯樣品進(jìn)行斷裂,以了解聚合物界面處的裂紋形成和附著力。Sigma 360,C2D,3 kV,NanoVP lite模式,樣品室壓力60Pa?稍跇O端條件下完成可變壓力成像
用于分析和成像的NanoVP lite模式
新NanoVP lite模式和新探測(cè)器很容易在電壓低于5 kV時(shí),從非導(dǎo)體中輕松獲取高質(zhì)量數(shù)據(jù)。
這樣,就可增強(qiáng)成像和X射線能譜分析的性能,提供更多表面敏感信息,縮短采集時(shí)間,增強(qiáng)入射電子束流,提高能譜面分布分析速度。
aBSD1(環(huán)形背散射電子探測(cè)器)或新一代C2D(級(jí)聯(lián)電流)探測(cè)器可確保在低電壓條件下采集到出色圖像。
將多模式實(shí)驗(yàn)與Connect Toolkit相結(jié)合,或使用Materials應(yīng)用程序分析顯微結(jié)構(gòu)、晶粒尺寸或涂層厚度直觀成像工作流為您指引方向
從設(shè)置到獲取基于人工智能的結(jié)果,每一步都清晰明了
即使您是新手用戶,也能輕松獲得專業(yè)結(jié)果。Sigma系列獲取圖像迅速,易于學(xué)習(xí)和使用的工作流可節(jié)省培訓(xùn)時(shí)間,簡(jiǎn)化從導(dǎo)航到后期處理的每個(gè)步驟,讓您如虎添翼。
蔡司SmartSEM Touch中的軟件自動(dòng)化可助您完成導(dǎo)航、參數(shù)設(shè)置和圖像采集等步驟。
接下來,ZEN core便可大顯身手:它配備針對(duì)具體任務(wù)的工具包,適用于后期處理。我們十分推薦人工智能工具包,它可助您基于機(jī)器學(xué)習(xí)進(jìn)行圖像分割。
可在1 kV和更低電壓條件下分辨差異
增強(qiáng)的分辨率。優(yōu)化的襯度
光學(xué)鏡筒是成像和分析性能的關(guān)鍵。Sigma配用蔡司Gemini 1電子光學(xué)鏡筒,可對(duì)任何樣品提供出色的成像分辨率,尤其是在低電壓條件下。
Sigma 360的低電壓分辨率目前500 V時(shí)為1.9 nm。通過大幅度降低色差,1 kV時(shí)的分辨率已提升10%以上,可達(dá)1.3 nm。
現(xiàn)在成像比以往任何時(shí)候都輕松,無論是要求苛刻的樣品,還是在可變壓力(VP)模式下采用背散射探測(cè)。
Sigma 560
高通量分析,原位實(shí)驗(yàn)自動(dòng)化
對(duì)實(shí)體樣品進(jìn)行高效分析:基于SEM的高速和通用分析。
實(shí)現(xiàn)原位實(shí)驗(yàn)自動(dòng)化:無人值守測(cè)試的全集成實(shí)驗(yàn)室。
可在低于1 kV的條件下完成要求苛刻的樣品成像:采集完整的樣品信息。
真實(shí)樣本的高效分析
利用 EDS 的多功能性進(jìn)行調(diào)查并加快速度Sigma 560 一流的 EDS 幾何結(jié)構(gòu)可提高您的分析效率。兩個(gè) 180° 徑向相對(duì)的 EDS 端口保證了吞吐量和無陰影映射,即使在低射束電流和低加速電壓下也是如此。
腔室上用于 EBSD 和 WDS 的附加端口允許進(jìn)行 EDS 以外的分析。
即使是非導(dǎo)體也可以使用新的 NanoVP lite 模式進(jìn)行分析,具有更多的信號(hào)和對(duì)比度。
新的 aBSD4 檢測(cè)器可輕松提供高度形貌樣品的圖像。
自動(dòng)化您的原位實(shí)驗(yàn)
完全集成的無人值守測(cè)試實(shí)驗(yàn)室Sigma的原位實(shí)驗(yàn)室是一種完全集成的解決方案,可在無人值守的自動(dòng)化工作流程中實(shí)現(xiàn)獨(dú)立于操作員的加熱和拉伸測(cè)試結(jié)果。
通過分析 3D 中的納米級(jí)特征進(jìn)一步擴(kuò)展您的工作流程:執(zhí)行 3D STEM 斷層掃描或執(zhí)行基于 AI 的圖像分割。
新的 aBSD4 允許實(shí)時(shí) 3D 表面建模 (3DSM)。
輕松對(duì)具有挑戰(zhàn)性的樣品進(jìn)行成像
查看 1 kV 及以下的差異在 1 kV 甚至 500 V 下實(shí)現(xiàn)最佳信息成像和分析:Sigma 560 的低電壓分辨率在 500 V 時(shí)指定為 1.5 nm。
使用新的 aBSD 或 C2D 檢測(cè)器,在加速電壓低至 3 kV 的新 NanoVP lite 模式下,在可變壓力下輕松研究具有挑戰(zhàn)性的樣品。
如果您正在研究電子設(shè)備,您會(huì)希望保持清潔的環(huán)境。通過(強(qiáng)烈推薦)等離子清潔器和允許穿梭 6 英寸晶圓的新型大型氣閘,保護(hù)您的腔室免受污染。
Gemini 1 光學(xué)
Gemini 1 光學(xué)系統(tǒng)由三個(gè)元件組成:物鏡、光束增強(qiáng)器和 Inlens 檢測(cè)概念。物鏡設(shè)計(jì)結(jié)合了靜電場(chǎng)和磁場(chǎng),以最大限度地提高光學(xué)性能,同時(shí)將對(duì)樣品的場(chǎng)影響降至最低。這使得即使在具有挑戰(zhàn)性的樣品(如磁性材料)上也能實(shí)現(xiàn)出色的成像。Inlens 檢測(cè)概念通過檢測(cè)二次 (SE) 和/或背散射 (BSE) 電子確保有效的信號(hào)檢測(cè),同時(shí)最大限度地縮短成像時(shí)間。光束增強(qiáng)器保證小探頭尺寸和高信噪比。
靈活檢測(cè)
Sigma 具有一套不同的檢測(cè)器。使用最新的檢測(cè)技術(shù)表征您的樣品。使用 ETSE 和用于高真空模式的 Inlens 檢測(cè)器獲取高分辨率地形信息。使用 VPSE 或 C2D 檢測(cè)器在可變壓力模式下獲得清晰的圖像。使用 aSTEM 檢測(cè)器生成高分辨率透射圖像。使用不同的可選 BSE 檢測(cè)器(例如 aBSD 檢測(cè)器)研究成分和形貌。
NanoVP 精簡(jiǎn)模式
使用 NanoVP 精簡(jiǎn)模式進(jìn)行分析和成像。受益于更好的圖像質(zhì)量,尤其是在低電壓下,更快、更精確地獲得分析數(shù)據(jù)。
在 NanoVP lite 中,裙邊效應(yīng)和光束氣體路徑長(zhǎng)度 (BGPL) 都減少了。減少的裙邊導(dǎo)致 SE 和 BSE 成像中的信噪比增強(qiáng)。
具有五個(gè)環(huán)形部分的可伸縮 aBSD 提供了出色的材料對(duì)比:它帶有梁套筒,并在 NanoVP lite 操作期間安裝在極靴下方。它提供高通量和低電壓成分和形貌對(duì)比成像,適用于 VP 和 HV(高真空)。
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